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IGZO 소자 공정 시 알루미나를 GI로서 E-beam 공정으로 증착할 수 있나요?? 만약 할 수 있다면, 주요 공정 파라미터로는 어떤 것들이 있을까요?? + 추가로 IGZO소자에서는 GI의 산소 vacancy도 소자 특성에 영향을 줄 수 있다고 알고있는데, 이를 공정 파라미터로써 조절도 가능한가요?? 가능하다면 어떻게 조절하는지 궁금합니다..!!
2025.03.25
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막학기 18학점 들으면서 취준을 해야되는데... 두마리 토끼 다 잡으렫 이도저도 아니게 될것 같아 고민입니다. 올해까지 전공에 집중하고 내년 상반기 채용을 넣을지, 올해 졸업해서 하반기 채용을 넣을지 고민이네요 지금 하반기 채용 크니까 괜히 마음이 조급해져서요 조언 부탁 드립니다.
안녕하세요, 멘토님 이제 막학기 졸업을 앞두고 있습니다. 막학기에 재수강 3과목과 캡스톤 해서 총 12학점을 이수할 예정입니다. 그러면 올 A받는다는 가정하에 학점이 3.68로 계산이 됩니다. 힘들더라도 다른 과목을 추가로 들어서 3.7까지는 맞출지 고민입니다. 제가 지방국립대(지거국x)이고 서류통과 학점이 3.7이상이면 좋겠다고 주변에서 이야기가 많이 들었습니다. 학점을 이 정도로 맞추고 취준에 더 집중할지 아니면 이제 마지막이기에 조금이라도 과목을 더 이수하여 학점을 3.7로 맞출지 멘토님의 생각은 어떨지 궁금합니다.
반도체쪽 석사과정 중인데 공설보다는 공기가 확실히 취업문이 낮고 유리할까요? 공정기술 석사로 지원하면 학사와 부서 배치받을 때 차이가 있는지도 궁금합니다. 마지막으로 학사 대비 석사의 어떤 강점을 어필하면 좋을지 궁금합니다
막학기 18학점 들으면서 취준을 해야되는데... 두마리 토끼 다 잡으렫 이도저도 아니게 될것 같아 고민입니다. 올해까지 전공에 집중하고 내년 상반기 채용을 넣을지, 올해 졸업해서 하반기 채용을 넣을지 고민이네요 지금 하반기 채용 크니까 괜히 마음이 조급해져서요 조언 부탁 드립니다.
안녕하세요, 멘토님 이제 막학기 졸업을 앞두고 있습니다. 막학기에 재수강 3과목과 캡스톤 해서 총 12학점을 이수할 예정입니다. 그러면 올 A받는다는 가정하에 학점이 3.68로 계산이 됩니다. 힘들더라도 다른 과목을 추가로 들어서 3.7까지는 맞출지 고민입니다. 제가 지방국립대(지거국x)이고 서류통과 학점이 3.7이상이면 좋겠다고 주변에서 이야기가 많이 들었습니다. 학점을 이 정도로 맞추고 취준에 더 집중할지 아니면 이제 마지막이기에 조금이라도 과목을 더 이수하여 학점을 3.7로 맞출지 멘토님의 생각은 어떨지 궁금합니다.
반도체쪽 석사과정 중인데 공설보다는 공기가 확실히 취업문이 낮고 유리할까요? 공정기술 석사로 지원하면 학사와 부서 배치받을 때 차이가 있는지도 궁금합니다. 마지막으로 학사 대비 석사의 어떤 강점을 어필하면 좋을지 궁금합니다
답변 6
채택된 답변E-beam Evaporation 공정으로 알루미나(Al₂O₃)를 증착하는 게 가능하냐고 물어보셨는데요!~ 결론부터 말하면, 기술적으로는 가능하지만 몇 가지 고려해야 할 점이 있어요!~ E-beam Evaporation은 고진공 상태에서 전자빔으로 타겟 물질(Al₂O₃)을 가열해 기화시킨 후, 이를 기판에 응축시키는 방식이에요! 하지만 Al₂O₃는 증발할 때 자체적으로 분해될 가능성이 있어서, Al 메탈을 증발시키고 산소 분위기에서 산화시키는 방식도 고려해볼 수 있어요!~ 일반적으로 IGZO 소자에서 Gate Insulator(GI)로 Al₂O₃를 사용하려면 균일한 박막과 적절한 절연 특성이 필요하기 때문에, 증착 방식으로는 E-beam보다는 ALD(Atomic Layer Deposition)가 더 선호되는 경우가 많아요!~ 그래도 E-beam Evaporation을 사용할 경우, 주요 공정 파라미터로는 전자빔 파워: 너무 높으면 타겟이 급격히 증발하면서 입자 크기가 커질 수 있어요! 증착 속도: 너무 빠르면 조밀한 박막을 얻기 어려워요!~ 기판 온도: 고온에서 증착하면 밀도가 높은 막을 얻을 수 있지만, IGZO 소자의 특성과 호환이 잘되는 온도를 찾아야 해요! 산소 분위기 제어: E-beam 증착만으로 완벽한 Al₂O₃를 얻기 어려울 수 있어서, O₂ 분위기에서 후열처리(annealing)를 해주는 것도 방법이에요!~ 그리고 IGZO 소자에서 GI의 산소 vacancy가 소자 특성에 영향을 주는 건 맞아요!~ 산소 vacancy가 많아지면 전자 밀도가 증가하면서 임계전압이 낮아지고, 리텐션 특성에도 영향을 줄 수 있어요. 이를 조절하려면 산소 분위기 조절: O₂ 플로우를 조절해서 산소 vacancy 생성을 억제하거나 증가시킬 수 있어요!~ 후열처리(annealing) 조건 변경: 산소 분위기에서 annealing하면 산소 vacancy를 줄일 수 있고, 진공 분위기에서 하면 증가할 수도 있어요!~ 플라즈마 처리: O₂ 플라즈마 처리를 추가하면 산소 vacancy를 줄이는 효과를 볼 수 있어요!~ 도움이 되셨다면 채택 부탁드려요~ 응원합니다~!
멘티님, E-beam Evaporation을 이용해 IGZO 소자의 게이트 절연체(GI)로 알루미나(Al₂O₃) 증착이 가능합니다. 주요 공정 파라미터로는 전자빔 전력, 증착 속도, 기판 온도, 진공도 등이 있습니다. 산소 결손 제어는 증착 중 산소 분압 조절, 후속 열처리, 플라즈마 처리 등을 통해 가능합니다. 이는 IGZO 소자의 전계 효과 이동도, 문턱전압, 누설전류 등 특성에 영향을 미칩니다. 최적화된 공정으로 고성능 IGZO 소자를 구현할 수 있으며, 실제 공정에서는 저속 증착과 후열처리 조합으로 산소 결함률을 낮출 수 있습니다.
